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大乐透开奖结果:FDS4559是一种互补的MOSFET器件

时间:2019-2-27, 来源:互联网, 文章类别:元器件知识库

体彩快中彩走势图 www.g30u.com.cn FDS4559是一种互补的MOSFET器件,采用先进的功率沟道工艺生产,该工艺经过特别定制,可最大限度地降低通态电阻,同时保持较低的栅极电荷,以获得优异的开关性能。适用于液晶背光逆变器。

参数:

晶体管极性:N and P-Channel

汲极/源极击穿电压:+/- 60 V

闸/源击穿电压:+/- 20 V

漏极连续电流:4.5 A, - 3.5 A

导通电阻:55 mOhms

配置:Dual Dual Drain

最大工作温度:+ 175 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-8 Narrow

封装:Reel

下降时间:6 ns, 12 ns

向跨导 - 最小值:14 S, 9 S

最小工作温度:- 55 C

功率耗散:2 W

上升时间:8 ns, 10 ns

系列:FDS4559

工厂包装数量:2500

典型关闭延迟时间:19 ns, 19 ns

零件号别名:FDS4559_NL

单位重量:187 mg


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