快速发布采购 管理采购信息

赌球规则:FDS4559是一种互补的MOSFET器件

时间:2019-2-27, 来源:互联网, 文章类别:元器件知识库

体彩快中彩走势图 www.g30u.com.cn FDS4559是一种互补的MOSFET器件,采用先进的功率沟道工艺生产,该工艺经过特别定制,可最大限度地降低通态电阻,同时保持较低的栅极电荷,以获得优异的开关性能。适用于液晶背光逆变器。

参数:

晶体管极性:N and P-Channel

汲极/源极击穿电压:+/- 60 V

闸/源击穿电压:+/- 20 V

漏极连续电流:4.5 A, - 3.5 A

导通电阻:55 mOhms

配置:Dual Dual Drain

最大工作温度:+ 175 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-8 Narrow

封装:Reel

下降时间:6 ns, 12 ns

向跨导 - 最小值:14 S, 9 S

最小工作温度:- 55 C

功率耗散:2 W

上升时间:8 ns, 10 ns

系列:FDS4559

工厂包装数量:2500

典型关闭延迟时间:19 ns, 19 ns

零件号别名:FDS4559_NL

单位重量:187 mg


技术文章分类
相关技术文章
  • 网络账号能否继承?专家:可继承具有价值部分 2019-05-24
  • 沈从文逝世30年:因为有所待,所以有所爱 2019-05-22
  • 凤凰大调查——倾听你理想中的湾区生活 ——凤凰网房产深圳 2019-05-20
  • 高清:探访广西高考阅卷现场 2019-05-19
  • 英媒:中国人对伦敦房产投资下滑 2019-05-19
  • 警察都帮他!印度“大师”差点越狱成功 2019-05-18
  • 成交大户大起底!走街串巷带你领略增城的风土人情 ——凤凰网房产广州 2019-05-15
  • 乡贤们,台州发“英雄帖”了 2019-05-12
  • 生活的印记文章中国国家地理网 2019-05-11
  • 税费“红包”助推高质量发展 2019-05-11
  • 2017中国(北京)跨国技术转移大会 2019-04-28
  • 中美贸易战不是坏事,中美两国都会从贸易战中强大起来。独立自主,自立更生,走自己的路,中国的发展一定会突破美国限制,变得更加强大。 2019-04-16
  • 日照港集团实现首季开门红 2019-04-12
  • 【专题】王学义教授做客长城网燕赵名医大讲堂 2019-04-12
  • 网约车新政11月1日起实施 专家呼吁慎用数量管控 2019-04-05
  • 898| 826| 52| 748| 783| 17| 145| 416| 370| 723| 153| 513| 132| 603| 452|